再び ダイオードのVf 覚え書き [電子工作実験]
シリコンダイオードのVfは温度が上がれば下がる負の特性とのことだが、シリコンカーバイト(SiC)のショットキーダイオードは正の特性とのこと。
事実、秋月で取り扱っているSCS106AGCのデータシートを見れば、温度25度で1.5V、175度で1.82Vになっています。SiCのMOSFETは小さな放熱板でよいと聞いたのですが、ダイオードは要注意ですね。
また、FRDの31DF2と31DF4を比べてみれば、Vfは0.98Vと1.25Vと言うように31DF4が高くなっています。
どうやら、Vfは逆電圧に比例するようだ。大は小を兼ねないと言うことか。
事実、秋月で取り扱っているSCS106AGCのデータシートを見れば、温度25度で1.5V、175度で1.82Vになっています。SiCのMOSFETは小さな放熱板でよいと聞いたのですが、ダイオードは要注意ですね。
また、FRDの31DF2と31DF4を比べてみれば、Vfは0.98Vと1.25Vと言うように31DF4が高くなっています。
どうやら、Vfは逆電圧に比例するようだ。大は小を兼ねないと言うことか。
2015-09-30 00:04
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